Artículos en revistas:
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Investigation of AlInN barrier ISFET structures with GaN capping for pH detection
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL |
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ISSN
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0925-4005 |
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Factor de impacto JCR
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3,898 |
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Información de impacto
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Volumen
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176 |
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DOI
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10.1016/j.snb.2012.09.109 |
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Número de revista
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Desde la página
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704 |
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Hasta la página
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707 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
t. brazzini (UPM) - Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
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- Creador: No seleccionado
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