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Selective area growth and characterization of GaN nanocolumns, with and without an InGaN insertion, on semi-polar (11-22) GaN templates
Selective area growth and characterization of GaN nanocolumns, with and without an InGaN insertion, on semi-polar (11-22) GaN templates
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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10.1063/1.4846455 |
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Número de revista
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24 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
a. bengoechea-encabo (UPM) - Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: f. barbagini (UPM)
- Autor: j. zuniga-perez
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: p. de mierry
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: a. trampert
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- Creador: No seleccionado
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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