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Direct comparison of traps in InAlN/GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistors using constant drain current deep level transient spectroscopy
Direct comparison of traps in InAlN/GaN and AlGaN/GaN high electron mobility transistors using constant drain current deep level transient spectroscopy
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,844 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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10.1063/1.4813862 |
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Número de revista
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3 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
s. martin-horcajo (UPM) - Autor: a. sasikumar
- Autor: m. f. romero (UPM)
- Autor: a. r. arehart
- Autor: f. calle (UPM)
- Autor: m. j. tadjer (UPM)
- Autor: y. pei
- Autor: d. brown
- Autor: f. recht
- Autor: m. a. di forte-poisson
- Autor: s. keller
- Autor: s. p. denbaars
- Autor: u. k. mishra
- Autor: s. a. ringel
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- Creador: No seleccionado
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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