Memorias de investigación
Artículos en revistas:
First Demonstration of Direct Growth of Planar High-In-Composition InGaN Layers on Si
Año:2013

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS EXPRESS
ISSN
1882-0778
Factor de impacto JCR
3,013
Información de impacto
Volumen
6
DOI
10.7567/APEX.6.035501
Número de revista
3
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Mes
Ranking
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Participantes

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  • Departamento: Ingeniería Electrónica