Artículos en revistas:
Photoexcited-induced sensitivity of InGaAs surface QDs to environment
Año:2014
Áreas de investigación
- Física química y matemáticas
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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NANOTECHNOLOGY |
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ISSN
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0957-4484 |
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Factor de impacto JCR
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3,842 |
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Información de impacto
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Volumen
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25 |
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DOI
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10.1088/0957-4484/25/44/445501 |
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Número de revista
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44 |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: M.Jose Milla Rodrigo UPM
- Autor: Jose Maria Ulloa Herrero UPM
- Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ciencia de Materiales
- Departamento: Ingeniería Electrónica