Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of device geometry at different ambient temperatures on the self-heating of GaN-based HEMTs
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,921
Información de impacto
Volumen
29
DOI
10.1088/0268-1242/29/11/115013
Número de revista
11
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0
Hasta la página
9
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. j. tadjer
  • Autor: a. d. koehler
  • Autor: t. j. anderson
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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