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Descripción
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| Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p, que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente. Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de BI fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación. | |
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Internacional
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No |
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Estado
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Concedida |
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Referencia Patente Prioritaria
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P201001538 |
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En explotación
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No |
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Licenciatarios
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Fecha solicitud
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03/12/2010 |
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Titulares aparte de la UPM
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Universidad Complutense de Madrid (UCM); |