Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Physical Model for GaN HEMT Design Optimization in High Frequency Switching Applications
Year:2014

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
PROCEEDINGS OF THE 2014 44TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2014)
ISBN
1930-8876
Impact factor JCR
0
Impact info
Volume
Journal number
From page
393
To page
396
Month
Ranking
0
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica