Artículos en revistas:
Physical Model for GaN HEMT Design Optimization in High Frequency Switching Applications
Physical Model for GaN HEMT Design Optimization in High Frequency Switching Applications
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PROCEEDINGS OF THE 2014 44TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2014) |
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ISSN
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1930-8876 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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Número de revista
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393 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
d. cucak (UPM) - Autor: m. vasic (UPM)
- Autor: o. garcia (UPM)
- Autor: j. oliver (UPM)
- Autor: p. alou (UPM)
- Autor: j. a. cobos (UPM)
- Autor: s. martin-horcajo (UPM)
- Autor: f. romero (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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