Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Physical Model for GaN HEMT Design Optimization in High Frequency Switching Applications
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
PROCEEDINGS OF THE 2014 44TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2014)
ISSN
1930-8876
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
Desde la página
393
Hasta la página
396
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: d. cucak (UPM)
  • Autor: m. vasic (UPM)
  • Autor: o. garcia (UPM)
  • Autor: j. oliver (UPM)
  • Autor: p. alou (UPM)
  • Autor: j. a. cobos (UPM)
  • Autor: s. martin-horcajo (UPM)
  • Autor: f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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