Memorias de investigación
Artículos en revistas:
High Intensity Low Temperature (HILT) performance of space concentrator GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs
Año:2014
Áreas de investigación
  • Dispositivos electrónicos,
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
In the work, the results of an investigation of GaInP/GaInAs/Ge MJ SCs intended for converting concentrated solar radiation, when operating at low temperatures (down to -190 degrees C) are presented. A kink of the cell I-V characteristic has been observed in the region close to V-oc starting from -20 degrees C at operation under concentrated sunlight. The causes for its occurrence have been analyzed and the reasons for formation of a built-in potential barrier for majority charge carriers at the n-GaInP/n-Ge isotype hetero-interface are discussed. The effect of charge carrier transport in n-GaInP/n-p Ge heterostructures on MJ SC output characteristics at low temperatures has been studied including EL technique.
Internacional
Si
JCR del ISI
No
Título de la revista
AIP Conference Proceedings
ISSN
0094-243X
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
1616
DOI
Número de revista
Desde la página
29
Hasta la página
32
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M.Z. Shvarts
  • Autor: A.S. Gudovskikh
  • Autor: N.A. Kalyuzhnyy
  • Autor: S.A. Mintairov
  • Autor: A.A. Soluyanov
  • Autor: N.K. Timoshina
  • Autor: Antonio Luque Lopez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física