Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
3-D modeling of perimeter recombination in GaAs diodes and its influence on concentrator solar cells
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
This paper describes a complete modelling of the perimeter recombination of GaAs diodes which solves most unknowns and suppresses the limitations of previous models. Because of the three dimensional nature of the implemented model, it is able to simulate real devices. GaAs diodes on two epiwafers with different base doping levels, sizes and geometries, namely square and circular are manufactured. The validation of the model is achieved by fitting the experimental measurements of the dark IV curve of the manufactured GaAs diodes. A comprehensive 3-D description of the occurring phenomena affecting the perimeter recombination is supplied with the help of the model. Finally, the model is applied to concentrator GaAs solar cells to assess the impact of their doping level, size and geometry on the perimeter recombination.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Solar Energy Materials And Solar Cells
ISSN
0927-0248
Factor de impacto JCR
5,03
Información de impacto
Volumen
120
DOI
10.1016/j.solmat.2013.08.009
Número de revista
Desde la página
48
Hasta la página
58
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Mario Ochoa Gómez (UPM)
  • Autor: Pilar Espinet González (UPM)
  • Autor: Ivan Garcia Vara (UPM)
  • Autor: Carlos Algora Del Valle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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