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Selective area growth of GaN nanostructures: A key to produce high quality (11-20) a-plane pseudo-substrates
Selective area growth of GaN nanostructures: A key to produce high quality (11-20) a-plane pseudo-substrates
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,794 |
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Información de impacto
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Volumen
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105 |
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DOI
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10.1063/1.4894802 |
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Número de revista
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9 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
a. bengoechea-encabo (UPM) - Autor: Patricia Val Gómez (UPM)
- Autor: j. zuniga-perez
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: p. de mierry
- Autor: e. calleja (UPM)
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