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Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate
Lattice pulling effect and strain relaxation in axial (In, Ga)N/GaN nanowire heterostructures grown on GaN-buffered Si(111) substrate
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE |
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ISSN
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1862-6300 |
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Factor de impacto JCR
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1,525 |
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Información de impacto
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Volumen
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212 |
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DOI
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10.1002/pssa.201400198 |
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Número de revista
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4 |
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Desde la página
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736 |
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Hasta la página
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739 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
s. albert (UPM) - Autor: x. kong
- Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: a. trampert
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