Memorias de investigación
Artículos en revistas:
GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,794
Información de impacto
Volumen
105
DOI
10.1063/1.4891557
Número de revista
4
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4
Mes
Ranking
0
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales