Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,21
Información de impacto
Volumen
116
DOI
10.1063/1.4896963
Número de revista
13
Desde la página
0
Hasta la página
7
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: t. ben
  • Autor: d. gonzalez
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ciencia de Materiales
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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