Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Long-wavelength room-temperature luminescence from InAs/GaAs quantum dots with an optimized GaAsSbN capping layer
Año:2014

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANOSCALE RESEARCH LETTERS
ISSN
1556-276X
Factor de impacto JCR
2,524
Información de impacto
Volumen
9
DOI
10.1186/1556-276X-9-36
Número de revista
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Mes
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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales