Memorias de investigación
Tesis:
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2014
Áreas de investigación
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Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
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Dispositivos electrónicos
Datos
Descripción
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Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
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Internacional
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Si |
ISBN
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Tipo de Tesis
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Doctoral |
Calificación
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Apto cum laude |
Fecha
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03/10/2014 |
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
- Director:
Fernando Calle Gomez (UPM) - Director:
Wang Ashu . (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica