Memorias de investigación
Thesis:
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Year:2014

Research Areas
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil),
  • Electronic devices

Information
Abstract
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
International
Si
Type
Doctoral
Mark Rating
Apto cum laude
Date
03/10/2014
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica