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Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications,
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Año:2014
Áreas de investigación
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Ingenierías
Datos
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Descripción
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| Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications, | |
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Internacional
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Si |
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Entidad
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ESSDERC/ESSCIRC, |
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Lugar
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Venice, Italy |
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Páginas
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234-240 |
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Referencia/URL
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Tipo de publicación
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Conference |
Participantes
- Autor: D. Cucak
- Autor: M. Vasic
- Autor: O. Garcia
- Autor: J. Oliver
- Autor: P. Alou
- Autor: J. A. Cobos
- Autor: Ashu Wang (UPM)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: M.-F. Romero
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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