Memorias de investigación
Otras publicaciones:
Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications,
Año:2014
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Physical model for GaN HEMT design optimization in high frequency switching applications,
Internacional
Si
Entidad
ESSDERC/ESSCIRC,
Lugar
Venice, Italy
Páginas
234-240
Referencia/URL
Tipo de publicación
Conference
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: D. Cucak
  • Autor: M. Vasic
  • Autor: O. Garcia
  • Autor: J. Oliver
  • Autor: P. Alou
  • Autor: J. A. Cobos
  • Autor: Ashu Wang . UPM
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: M.-F. Romero
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología