Ponencias en congresos:
Growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy
Año:2014
Áreas de investigación
- Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
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Descripción
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| Growth and characterization of InGaN/GaN core-shell structures by molecular beam epitaxy | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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IWN 2014 International Workshop on Nitride Semiconductors |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Wroclaw (Polonia) |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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24/08/2014 |
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Fecha fin congreso
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25/08/2014 |
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Desde la página
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157 |
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Hasta la página
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189 |
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Título de las actas
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IWN 2014 International Workshop on Nitride Semiconductors |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Steven Albert . UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM