Capítulo de libro:
Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2014
Áreas de investigación
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Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
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Descripción
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| Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy, chapter 9 | |
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Internacional
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Si |
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DOI
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Edición del Libro
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1 |
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Editorial del Libro
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ISTELtd and John Wiley&son,2014 |
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ISBN
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0000000000000 |
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Serie
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Título del Libro
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Wide Band Gap Semiconductors Nanowires 1 |
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Desde página
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10 |
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Hasta página
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20 |
Participantes
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
- Autor: Steven Albert . (UPM)
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
- Autor: Francesca Barbagini (Ex UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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