Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2014
Áreas de investigación
  • Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy, chapter 9
Internacional
Si
DOI
Edición del Libro
1
Editorial del Libro
ISTELtd and John Wiley&son,2014
ISBN
0000000000000
Serie
Título del Libro
Wide Band Gap Semiconductors Nanowires 1
Desde página
10
Hasta página
20
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM)
  • Autor: Francesca Barbagini (Ex UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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