Memorias de investigación
Capítulo de libro:
Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Año:2014
Áreas de investigación
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Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
Descripción
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Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy, chapter 9
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Internacional
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Si |
DOI
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Edición del Libro
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1 |
Editorial del Libro
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ISTELtd and John Wiley&son,2014 |
ISBN
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0000000000000 |
Serie
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Título del Libro
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Wide Band Gap Semiconductors Nanowires 1 |
Desde página
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10 |
Hasta página
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20 |
Esta actividad pertenece a memorias de
investigación
Participantes
- Autor:
Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM) - Autor:
Steven Albert . (UPM) - Autor:
Ana Mª Bengoechea Encabo (UPM) - Autor: Francesca Barbagini (Ex UPM)
- Autor:
Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología