Descripción
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Selective area growth of GaN nanowires by plasma-assisted molecular beam epitaxy, chapter 9 | |
Internacional
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Si |
DOI
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Edición del Libro
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1 |
Editorial del Libro
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ISTELtd and John Wiley&son,2014 |
ISBN
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0000000000000 |
Serie
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Título del Libro
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Wide Band Gap Semiconductors Nanowires 1 |
Desde página
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10 |
Hasta página
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20 |