Ponencias en congresos:
Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N
Año:2014
Áreas de investigación
- Caracterizacion,
- Defectos,
- Estructura,
- Propiedades opticas,
- Estructura electronica
Datos
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Descripción
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| Ponencia en el simposio Oxide Materials | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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Materials Research Society fall meeting 2014 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Boston, Massachussets, EEUU |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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30/11/2014 |
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Fecha fin congreso
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05/12/2014 |
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Desde la página
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Título de las actas
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Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N http://www.mrs.org/fall-2014-program-o/ |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Alejandro Kurtz De Griño UPM
- Autor: Adrian Hierro Cano UPM
- Autor: Leonard Gura
- Autor: Elias Muñoz Merino UPM
- Autor: Jean Michelle Chauveau CHREA-CNRS, Niza, Francia
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica