Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N
Año:2014
Áreas de investigación
  • Caracterizacion,
  • Defectos,
  • Estructura,
  • Propiedades opticas,
  • Estructura electronica
Datos
Descripción
Ponencia en el simposio Oxide Materials
Internacional
Si
Nombre congreso
Materials Research Society fall meeting 2014
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Boston, Massachussets, EEUU
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
30/11/2014
Fecha fin congreso
05/12/2014
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3
Título de las actas
Deep Level Analysis of Homoepitaxial ZnO Doped with N http://www.mrs.org/fall-2014-program-o/
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Alejandro Kurtz De Griño (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: Leonard Gura
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
  • Autor: Jean Michelle Chauveau (CHREA-CNRS, Niza, Francia)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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