Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Proyecto de I+D+i:
TOLERANCIA A VARIACIONES PVT Y RADIACIÓN EN TECNOLOGÍAS NANOMETRICAS
Año:2014
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Microelectrónica,
  • Nanoelectrónica
Datos
Descripción
Los circuitos integrados CMOS fabricados con tecnologías nanométricas se encuentran sometidos a numerosas incertidumbres debidas a efectos de segundo orden que antes se podían despreciar pero que ahora limitan las prestaciones finales del circuito y el rendimiento de fabricación. Tal es el caso de variaciones de proceso, o variaciones en condiciones de funcionamiento (caídas de tensión, puntos calientes, fallos por radiación). En este proyecto se proponen técnicas a nivel de circuito para conseguir diseños más robustos al ser capaces de tolerar variaciones PVT y radiación. En concreto se proponen dos objetivos fundamentales: - Diseñar, simular y fabricar sensores para la medida de variaciones PVT que se puedan integrar en una red on-chip de monitorización de variaciones. Se plantean sensores de camino crítico (con un doble objetivo, medir variaciones de proceso y envejecimiento), sensores de consumo estático y sensores de VDD. Todos estos sensores han de ser pequeños, fácilmente integrables en CMOS, con bajo consumo y orientados a los requisitos de la monitorización de las variaciones PVT. Se integrarán en un circuito demostrador de complejidad media. - Estudiar y proporcionar mecanismos de tolerancia a radiación en circuitos digitales mediante el diseño e implementación de una biblioteca de células estándar básicas endurecidas frente a radiación. Se implementarán técnicas de endurecimiento a nivel físico (trazado) y lógico en un conjunto de puertas básicas y flip-flops suficiente para satisfacer los requisitos de las herramientas de síntesis. Se realizará un estudio en profundidad del compromiso área-prestaciones-grado de tolerancia a radiación. Finalmente, se propone el diseño de dos sensores, para envejecimiento (por camino crítico) y temperatura, utilizando las técnicas de tolerancia a radiación realizadas. Estos sensores se podrán integrar en aplicaciones futuras en entornos sometidos a alta radiación, donde la monitorización remota juega un papel determinante.
Internacional
No
Tipo de proyecto
Proyectos y convenios en convocatorias públicas competitivas
Entidad financiadora
Ministerio de Economía y Competitividad
Nacionalidad Entidad
ESPAÑA
Tamaño de la entidad
Desconocido
Fecha concesión
01/01/2013
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Director: M. Luisa Lopez Vallejo (UPM)
  • Participante: Pablo Royer Del Barrio (UPM)
  • Participante: Carlos Alberto Lopez Barrio (UPM)
  • Participante: Pablo Ituero Herrero (UPM)
  • Participante: Javier Agustin Saenz (UPM)
  • Participante: Fernando Garcia Redondo (UPM)
  • Participante: Hernan Aparicio Cerqueira (UPM)
  • Participante: Carlos Gil Soriano (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Laboratorio de Sistemas Integrados (LSI)
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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