Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Seed Layer Controlled Deposition of ZnO Films with a Tilted c-axis for Shear Mode Resonators
Año:2014
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
We investigate different procedures for achieving ZnO films with the c-axis tilted with respect to the normal for their application in acoustic resonators operating in the shear modes. The approach consists in combining the use of textured surfaces of different nature with off-axis sputtering, which promotes the growth of ZnO with inclined microcrystals. The rough surfaces investigated are porous-SiO2 and AlN and ZnO seed layers films specifically prepared to exhibit textured surfaces. The suitability of these films for the intended applications is tested by analyzing the frequency response of ZnO-based solidly mounted resonators. Electromechanical coupling factors for the shear modes up to 3.3% are achieved.
Internacional
Si
Nombre congreso
European frequency and time forum 2014
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Neuchatel (Suiza)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
978-1-4799-5252-6
DOI
Fecha inicio congreso
23/06/2014
Fecha fin congreso
26/06/2014
Desde la página
297
Hasta la página
300
Título de las actas
Proceedings of the European frequency and time forum 2014
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Mario De Miguel Ramos (UPM)
  • Autor: Marta Clement Lorenzo (UPM)
  • Autor: Teona Mirea (UPM)
  • Autor: Jimena Olivares Roza (UPM)
  • Autor: Enrique Iborra Grau (UPM)
  • Autor: G. Rughoobur (Electrical Engineering Division-University Of Cambridge)
  • Autor: Luis García-Gancedo (Electrical Engineering Division-University of Cambridge)
  • Autor: A.J. Flewitt (Electrical Engineering Division-University of Cambridge)
  • Autor: W. I. Milne (Electrical Engineering Division-University of Cambridge)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
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