Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Simulation and geometrical design of multi-section tapered semiconductor optical amplifiers at 1.57 um
Año:2014
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Fully integrated semiconductor master-oscillator power-amplifiers (MOPA) with a tapered power amplifier are attractive sources for applications requiring high brightness. The geometrical design of the tapered amplifier is crucial to achieve the required power and beam quality. In this work we investigate by numerical simulation the role of the geometrical design in the beam quality and in the maximum achievable power. The simulations were performed with a Quasi-3D model which solves the complete steady-state semiconductor and thermal equations combined with a beam propagation method. The results indicate that large devices with wide taper angles produce higher power with better beam quality than smaller area designs, but at expenses of a higher injection current and lower conversion efficiency.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Proc. of SPIE Vol. 9134, Semiconductor Lasers and Laser Dynamics VI
ISSN
0277-786X
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
9134
DOI
10.1117/12.2052488
Número de revista
Desde la página
91342A-1
Hasta la página
91342A-7
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Jose Manuel Garcia Tijero (UPM)
  • Autor: Luis Borruel (Universidad Politécnica de Madrid)
  • Autor: Mariafernanda Vilera Suárez (UPM)
  • Autor: Antonio Consoli Barone (UPM)
  • Autor: Ignacio Esquivias Moscardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Fotónica Aplicada
  • Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería
  • Departamento: Estructuras y Física de Edificación
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