Memorias de investigación
Patentes:
Reactor epitaxial de alta densidad de susceptores, calentado por efecto Joule y con recirculación de gases
Año:2007

Áreas de investigación
  • Circuitos electrónicos,
  • Dispositivos electrónicos

Datos
Descripción
Se describe un reactor epitaxial de alto rendimiento que produce obleas a gran escala para industria fotovoltaica. Su principal innovación es la elevada densidad de apilamiento de susceptores, separados unos 4 cms. Éstos se colocan verticales, paralelos entre sí, interconectados, y se calientan por efecto Joule. La corriente llega por pasamuros especialmente diseñados, que conectan el exterior (temperatura ambiente), con los susceptores (1000 ºC). Un gas fluye entre susceptores. Unos sustratos se colocan sobre éstos. Debajo de ellos se encuentra una antecámara, para distribuir el gas entrante de forma homogénea y eliminar turbulencias. Todo está dentro de una cámara de acero inoxidable, recubierta internamente de material reflectante, y enfriada externamente por agua. Susceptores y antecámara están fijos a un panel posterior de conexiones, que también contiene pasamuros eléctricos, pasamuros de termopares, y entrada y salida de gases. Los gases de salida se recirculan parcialmente, ahorrando gas y aumentando la eficiencia.
Internacional
No
Estado
Concedida
Referencia Patente Prioritaria
P200501461
En explotación
No
Fecha solicitud
01/12/2007
Titulares aparte de la UPM
UPM

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Silicio y nuevos conceptos para células solares
  • Departamento: Electrónica Física