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Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range
Near-infrared emitting In-rich InGaN layers grown directly on Si: Towards the whole composition range
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,515 |
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Información de impacto
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Volumen
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106 |
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DOI
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10.1063/1.4909515 |
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Número de revista
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7 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
victor j. gomez (UPM) - Autor: enrique calleja (UPM)
- Autor: jose m. manuel
- Autor: francisco m. morales
- Autor: juan j. jimenez
- Autor: rafael garcia
- Autor: alexander senichev
- Autor: christoph lienau
- Autor: richard noetzel
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