Ponencias en congresos:
XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire
XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire
Año:2014
Áreas de investigación
-
Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, -
Células solares
Datos
|
Descripción
|
|
|---|---|
| The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) is a biennial academic conference in the field of group III nitride research. The IWN and the International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) are held in alternating years and cover similar subject areas. | |
|
Internacional
|
Si |
|
Nombre congreso
|
International Workshop on Nitrides 2014 |
|
Tipo de participación
|
970 |
|
Lugar del congreso
|
Wroclaw, Polonia |
|
Revisores
|
Si |
|
ISBN o ISSN
|
00000000 |
|
DOI
|
|
|
Fecha inicio congreso
|
24/08/2014 |
|
Fecha fin congreso
|
29/08/2014 |
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
3 |
|
Título de las actas
|
Proceedings |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: Pavel Aseev (UPM)
- Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
- Autor: Praveen Kumar . (UPM)
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Richard Notzel . (UPM)
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)