Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire
Año:2014
Áreas de investigación
  • Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
  • Células solares
Datos
Descripción
The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) is a biennial academic conference in the field of group III nitride research. The IWN and the International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) are held in alternating years and cover similar subject areas.
Internacional
Si
Nombre congreso
International Workshop on Nitrides 2014
Tipo de participación
970
Lugar del congreso
Wroclaw, Polonia
Revisores
Si
ISBN o ISSN
00000000
DOI
Fecha inicio congreso
24/08/2014
Fecha fin congreso
29/08/2014
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez (UPM)
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: Pavel Aseev (UPM)
  • Autor: Paul Soto Rodriguez (UPM)
  • Autor: Praveen Kumar . (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: Richard Notzel . (UPM)
  • Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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