Ponencias en congresos:
XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire
Año:2014
Áreas de investigación
- Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv,
- Células solares
Datos
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Descripción
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| The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) is a biennial academic conference in the field of group III nitride research. The IWN and the International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) are held in alternating years and cover similar subject areas. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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International Workshop on Nitrides 2014 |
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Tipo de participación
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970 |
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Lugar del congreso
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Wroclaw, Polonia |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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24/08/2014 |
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Fecha fin congreso
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29/08/2014 |
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Título de las actas
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Proceedings |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Victor Jesus Gomez Hernandez UPM
- Autor: Zarko Gacevic Jovanovic UPM
- Autor: Pavel Aseev . UPM
- Autor: Paul Soto Rodriguez UPM
- Autor: Praveen Kumar . UPM
- Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
- Autor: Richard Notzel . UPM
- Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica