Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Metamorphic Ga0.76In0.24As/GaAs0.75Sb0.25 tunnel junctions grown on GaAs substrates
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,21
Información de impacto
Volumen
116
DOI
10.1063/1.4892773
Número de revista
7
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6
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: i. garcia (UPM)
  • Autor: j. f. geisz
  • Autor: m. ochoa (UPM)
  • Autor: r. m. france
  • Autor: j. kang
  • Autor: s. -h. wei
  • Autor: d. j. friedman
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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