Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Cu(In,Ga)Se-2 absorber thinning and the homo-interface model: Influence of Mo back contact and 3-stage process on device characteristics
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,21
Información de impacto
Volumen
116
DOI
10.1063/1.4891478
Número de revista
7
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0
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7
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: d. fuertes marron (UPM)
  • Autor: e. leonard
  • Autor: l. arzel
  • Autor: m. tomassini
  • Autor: p. zabierowski
  • Autor: n. barreau
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Electrónica Física
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