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Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars
Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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CRYSTAL GROWTH & DESIGN |
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ISSN
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1528-7483 |
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Factor de impacto JCR
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4,558 |
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Información de impacto
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Volumen
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15 |
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DOI
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10.1021/acs.cgd.5b00235 |
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Número de revista
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8 |
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Desde la página
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3661 |
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Hasta la página
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3665 |
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Mes
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor:
steven albert (UPM) - Autor: ana bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: miguel a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: johannes ledig
- Autor: enrique calleja (UPM)
- Autor: tilinan schimpke
- Autor: martin strassburg
- Autor: andreas waag
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