Artículos en revistas:
Analysis and modelling of GaN Schottky-based circuits at millimeter wavelengths
Analysis and modelling of GaN Schottky-based circuits at millimeter wavelengths
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
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ISSN
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0268-1242 |
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Factor de impacto JCR
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2,19 |
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Información de impacto
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Volumen
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30 |
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DOI
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10.1088/0268-1242/30/11/115016 |
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Número de revista
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11 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
d. pardo (UPM) - Autor: j. grajal (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Microondas y Radar
- Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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