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Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates
Electron tomography of (In,Ga)N insertions in GaN nanocolumns grown on semi-polar (11(2)over-bar2) GaN templates
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APL MATERIALS |
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ISSN
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2166-532X |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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3 |
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DOI
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10.1063/1.4914102 |
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Número de revista
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3 |
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Ranking
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Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor:
s. albert (UPM) - Autor: m. niehle
- Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
- Autor: e. calleja (UPM)
- Autor: a. trampert
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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