Artículos en revistas:
Method for extracting relevant electrical parameters from graphene field-effect transistors using a physical model
Method for extracting relevant electrical parameters from graphene field-effect transistors using a physical model
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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2,185 |
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Información de impacto
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Volumen
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117 |
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DOI
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10.1063/1.4906972 |
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Número de revista
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4 |
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Mes
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Ranking
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Participantes
- Autor:
a. bosca (UPM) - Autor: j. pedros (UPM)
- Autor: j. martinez (UPM)
- Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Ciencia de Materiales
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