Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Trapping phenomena in AlGaN and InAlN barrier HEMTs with different geometries
Year:2015

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
2,206
Impact info
Volume
30
10.1088/0268-1242/30/3/035015
Journal number
3
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0
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10
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: s. martin-horcajo UPM
  • Autor: a. bosca UPM
  • Autor: m. f. romero UPM
  • Autor: m. j. tadjer UPM
  • Autor: f. calle UPM
  • Autor: a. d. koehler
  • Autor: t. j. anderson

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología