Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Simulation of temperature and electric field-dependent barrier traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Year:2015

Research Areas

Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISBN
0268-1242
Impact factor JCR
1,921
Impact info
Volume
30
10.1088/0268-1242/30/1/015010
Journal number
1
From page
0
To page
8
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: ashu wang UPM
  • Autor: sara martin-horcajo UPM
  • Autor: fernando calle UPM
  • Autor: marko j. tadjer

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica