Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electroreflectance characterization of AlInGaN/GaN high-electron mobility heterostructures
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
2,206
Información de impacto
Volumen
30
DOI
10.1088/0268-1242/30/8/085014
Número de revista
8
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Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: t. brazzini (UPM)
  • Autor: p. yu bokov
  • Autor: m. f. romero (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
  • Autor: m. feneberg
  • Autor: r. goldhahn
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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