Artículos en revistas:
Formation Mechanisms of GaN Nanowires Grown by Selective Area Growth Homoepitaxy
Formation Mechanisms of GaN Nanowires Grown by Selective Area Growth Homoepitaxy
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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NANO LETTERS |
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ISSN
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1530-6984 |
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Factor de impacto JCR
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12,94 |
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Información de impacto
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Volumen
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15 |
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DOI
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10.1021/nl504099s |
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Número de revista
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2 |
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Desde la página
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1117 |
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Hasta la página
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1121 |
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Mes
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Ranking
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0 |
Participantes
- Autor:
zarko gacevic (UPM) - Autor: enrique calleja (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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