Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Formation Mechanisms of GaN Nanowires Grown by Selective Area Growth Homoepitaxy
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
NANO LETTERS
ISSN
1530-6984
Factor de impacto JCR
12,94
Información de impacto
Volumen
15
DOI
10.1021/nl504099s
Número de revista
2
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1117
Hasta la página
1121
Mes
Ranking
0
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica