Artículos en revistas:
Effect of annealing in the Sb and In distribution of type II GaAsSb-capped InAs quantum dots
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY |
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ISSN
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0268-1242 |
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Factor de impacto JCR
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2,19 |
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Información de impacto
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Volumen
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30 |
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DOI
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10.1088/0268-1242/30/11/114006 |
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Número de revista
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11 |
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Ver publicación en Archivo digital upm
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: j. m. ulloa UPM
- Autor: d. f. reyes
- Autor: a. guzman UPM
- Autor: a. hierro UPM
- Autor: d. l. sales
- Autor: r. beanland
- Autor: a. m. sanchez
- Autor: d. gonzalez
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Ciencia de Materiales