Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of annealing in the Sb and In distribution of type II GaAsSb-capped InAs quantum dots
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
2,19
Información de impacto
Volumen
30
DOI
10.1088/0268-1242/30/11/114006
Número de revista
11
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9
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: d. l. sales
  • Autor: r. beanland
  • Autor: a. m. sanchez
  • Autor: d. gonzalez
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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