Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Role of the wetting layer in the enhanced responsivity of InAs/GaAsSb quantum dot infrared photodetectors
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,515
Información de impacto
Volumen
107
DOI
10.1063/1.4926364
Número de revista
1
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4
Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: alvaro guzman (UPM)
  • Autor: kenji yamamoto (UPM)
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: adrian hierro (UPM)
  • Autor: j. m. llorens
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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