Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,515
Información de impacto
Volumen
107
DOI
10.1063/1.4934841
Número de revista
18
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Mes
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: a. d. utrilla
  • Autor: j. m. llorens
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: l. wewior
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: e. r. cardozo de oliveira
  • Autor: b. alen
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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