Artículos en revistas:
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,515 |
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Información de impacto
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Volumen
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107 |
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DOI
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10.1063/1.4934841 |
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Número de revista
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18 |
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: j. m. ulloa UPM
- Autor: a. d. utrilla
- Autor: j. m. llorens
- Autor: a. guzman UPM
- Autor: l. wewior
- Autor: a. hierro UPM
- Autor: e. r. cardozo de oliveira
- Autor: b. alen
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: No seleccionado
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Departamento: Ciencia de Materiales