Ponencias en congresos:
Optimizing diffusion, morphology and minority carrier lifetime in silicon for GaAsP/Si dual-junction solar cells
Optimizing diffusion, morphology and minority carrier lifetime in silicon for GaAsP/Si dual-junction solar cells
Año:2015
Áreas de investigación
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Células solares, -
Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
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Descripción
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| Dual-junction solar cells formed by a GaAsP cell on a silicon bottom cell seem to be attractive candidates to materialize the long sought-for integration of III-V materials on Si for photovoltaic applications. In this study, we analyze several factors for the optimization of the bottom cell, namely, 1) the emitter formation as a result of phosphorus diffusion; 2) the growth of a high quality GaP nucleation layer; and 3) the process impact on the bottom subcell PV properties. | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE-2015) |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Aranjuez, Madrid |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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978-1-4799-8108-3 |
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DOI
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10.1109/CDE.2015.7087512 |
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Fecha inicio congreso
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11/02/2015 |
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Fecha fin congreso
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13/02/2015 |
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Desde la página
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1 |
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Hasta la página
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4 |
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Título de las actas
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Proc. IEEE CDE-2015 |
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Participantes
- Autor: Elisa Garcia-Tabares Valdivieso (UPM)
- Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
- Autor: Diego Martín Martín (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
- Departamento: Electrónica Física
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