Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optical in situ calibration of Sb for growing disordered GaInP by MOVPE
Año:2015
Áreas de investigación
  • Células solares,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
Reflectance Anisotropy Spectroscopy (RAS) was employed to determine the optimal specific molar flow of Sb needed to grow GaInP with a given order parameter by MOVPE. The RAS signature of GaInP surfaces exposed to different Sb/P molar flow ratios were recorded, and the RAS peak at 3.02 eV provided a feature that was sensitive to the amount of Sb on the surface. The range of Sb/P ratios over which Sb acts as a surfactant was determined using the RA intensity of this peak, and different GaInP layers were grown using different Sb/P ratios. The order parameter of the resulting layers was measured by PL at 20 K. This procedure may be extensible to the calibration of surfactant-mediated growth of other materials exhibiting characteristic RAS signatures.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
Factor de impacto JCR
1,693
Información de impacto
Volumen
426
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2015.05.020
Número de revista
Desde la página
71
Hasta la página
74
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes (UPM)
  • Autor: Laura Barrutia Poncela (UPM)
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Departamento: Electrónica Física
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
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