Ponencias en congresos:
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Año:2015
Áreas de investigación
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Tecnología electrónica y de las comunicaciones, -
Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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10ª Conf. Dispositivos Electrónicos. Madrid (Spain), 2015. |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Madrid (Spain), 2015. |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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11/02/2015 |
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Fecha fin congreso
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13/02/2015 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: MA Pampillon
- Autor: E. San Andrés
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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