Memorias de investigación
Communications at congresses:
Effects of HfO2 dielectric layer in AlInN/GaN heterostructures
Year:2015

Research Areas
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM
International
Si
Congress
Z. GAO, M.F. ROMERO, P. GODIGNON, J. MILLAN, F. CALLE ?Effects of HfO2 dielectric layer in AlInN/GaN heterostructures? Int Conference Nitride Semiconductors, ICNS Beijing, (China), 2015.
960
Place
Beijing, (China), 2015.
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
30/08/2015
End Date
04/09/2015
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0
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3
Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica