Ponencias en congresos:
Reliability assessment of AlGaN/GaN HEMTs with different in situ cap layers under gate and drain bias stress
Reliability assessment of AlGaN/GaN HEMTs with different in situ cap layers under gate and drain bias stress
Año:2015
Áreas de investigación
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Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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39th Int Workshop on Compound Semiconductors and Integrated Circuits, Wocsdice 2015. Smolenice (Slovakia), 2015 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Smolenice (Slovakia), 2015 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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08/06/2015 |
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Fecha fin congreso
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10/06/2015 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Vinayak Chavan . (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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