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Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects
Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects
Año:2015
Áreas de investigación
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Tecnología electrónica y de las comunicaciones, -
Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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| http://www.isom.upm.es/sem.php | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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Seminarios del ISOM |
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Entidad organizadora
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ISOM-UPM |
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Nacionalidad Entidad
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Sin nacionalidad |
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Lugar/Ciudad de impartición
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Madrid, Spain |
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Fecha inicio
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26/03/2015 |
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Fecha fin
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26/03/2015 |
Participantes
- Autor: Sara Martín-Horcajo
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
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