Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Cursos, seminarios y tutoriales:
Technology and characterization of GaN-HEMTs devices: high temperature and trapping effects
Año:2015
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
http://www.isom.upm.es/sem.php
Internacional
No
Nombre congreso
Seminarios del ISOM
Entidad organizadora
ISOM-UPM
Nacionalidad Entidad
Sin nacionalidad
Lugar/Ciudad de impartición
Madrid, Spain
Fecha inicio
26/03/2015
Fecha fin
26/03/2015
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Sara Martín-Horcajo
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2022 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)