Ponencias en congresos:
Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties
Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties
Año:2015
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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10ª Conferencia de Dispositivos Electrónicos (CDE), Aranjuez, (Spain), 2015 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Aranjuez, (Spain), 2015 |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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11/02/2015 |
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Fecha fin congreso
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13/02/2015 |
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Desde la página
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: A. Eljarrat
- Autor: L. López-Conesa
- Autor: C. Magén
- Autor: N. García-Lepetit
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: S. Estradé
- Autor: Francesca Peiró
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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