Memorias de investigación
Communications at congresses:
Valence EELS analysis of multiple InGaN-QW structure for electronic properties
Year:2015

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM
International
No
Congress
10ª Conferencia de Dispositivos Electrónicos (CDE), Aranjuez, (Spain), 2015
960
Place
Aranjuez, (Spain), 2015
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
11/02/2015
End Date
13/02/2015
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: A. Eljarrat
  • Autor: L. López-Conesa
  • Autor: C. Magén
  • Autor: N. García-Lepetit
  • Autor: Enrique Calleja Pardo UPM
  • Autor: Zarko Gacevic UPM
  • Autor: S. Estradé
  • Autor: Francesca Peiró

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica