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Descripción
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| Esta tesis explora las posibilidades del Si supersaturado con metales de transición como candidato para una nueva generación de fotodetectores de infrarrojo (IR) compatibles con la tecnología CMOS y operados a temperatura ambiente. Los materiales supersaturados serán obtenidos mediante implantación iónica y fundido por láser pulsado. Las altas concentraciones de los átomos de metales de transición formarán una banda intermedia (BI), en lugar de un conjunto discreto de niveles en el seno del gap del Si. Las transiciones ópticas que involucren a la BI darán lugar a la absorción de fotones con energías menores a las del bandgap del Si, extendiendo sus posibilidades de fotodetección en el rango IR del espectro. Asimismo se estudiará el compuesto de ZnO dopado con vanadio en el marco de los óxidos conductivos transparentes como posible contacto delantero en fotodetectores o células solares. | |
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Internacional
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No |
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ISBN
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Tipo de Tesis
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Doctoral |
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Calificación
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Sobresaliente cum laude |
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Fecha
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13/07/2015 |