Memorias de investigación
Patentes:
MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER
Año:2015
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
No
Estado
Concedida
Referencia Patente Prioritaria
P201231065
En explotación
No
Licenciatarios
Fecha solicitud
06/07/2012
Titulares aparte de la UPM
Universidad Politecnica de Catalunya;
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Inventor Contacto: Carlos Luis Molpeceres Alvarez UPM
  • Inventor: Isidro Martín García Universidad Politecnica de Catalunya
  • Inventor: Maria Isabel Sanchez Aniorte UPM
  • Inventor: Mónica Alejandra Colina Brito Universidad Politecnica de Catalunya
  • Inventor: Cristóbal Voz Sánchez Universidad Politecnica de Catalunya
  • Inventor: Ramón Alcubilla González Universidad Politecnica de Catalunya
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Manufactura Avanzada con Láser
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro Laser
  • Departamento: Física Aplicada e Ingeniería de Materiales