Ponencias en congresos:
Formation Mechanisms of GaN nanowires grown by slective area growth homoepitaxy
Formation Mechanisms of GaN nanowires grown by slective area growth homoepitaxy
Año:2015
Áreas de investigación
-
Ingenierías, -
Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
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Descripción
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| Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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18th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Canazei, Italy |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Canazei, Italy |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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0000000000000 |
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DOI
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Fecha inicio congreso
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15/03/2015 |
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Fecha fin congreso
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18/03/2015 |
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Desde la página
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0 |
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Hasta la página
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3 |
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Título de las actas
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Proceedings |
Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: D. Gómez Sánchez
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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