Memorias de investigación
Communications at congresses:
Formation Mechanisms of GaN nanowires grown by slective area growth homoepitaxy
Year:2015

Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications

Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM
International
Si
Congress
18th European Molecular Beam Epitaxy Workshop, Canazei, Italy
960
Place
Canazei, Italy
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
15/03/2015
End Date
18/03/2015
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0
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3
Proceedings
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica