Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Amplificador MMIC de 2-6 GHz y 12.5 W en tecnología HEMT de GaN
Año:2007
Áreas de investigación
  • Procesado y análisis de la señal
Datos
Descripción
En este artículo, se presenta el diseño de un amplificador de potencia y banda ancha, de 2 a 6 GHz, realizado en tecnología coplanar. Se utilizan transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de Nitruro de Galio (GaN), crecidos en un sustrato de Carburo de Silicio (SiC). Estos dispositivos tienen una puerta de 0.5 micrometros de longitud y 2.4 mm de ancho. El amplificador consta de dos etapas, la primera de dos y la segunda de cuatro transistores en paralelo. Para combinar y dividir la potencia de los transistores se usan estructuras corporativas. En la banda de diseño se consigue una ganancia en pequeña señal de 15 dB, una potencia de 12.5 W y una PAE del 20 por ciento.
Internacional
No
Nombre congreso
XXII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Universidad de La Laguna. Tenerife. España
Revisores
No
ISBN o ISSN
978-84-690-7500-5
DOI
Fecha inicio congreso
19/09/2007
Fecha fin congreso
21/09/2007
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Título de las actas
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Mª Ángeles González Garrido (UPM)
  • Autor: Pablo Cubilla
  • Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
  • Autor: Yago Fernández de Bobadilla
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
  • Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones
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