Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
En este artículo, se presenta el diseño de un amplificador de potencia y banda ancha, de 2 a 6 GHz, realizado en tecnología coplanar. Se utilizan transistores de alta movilidad de electrones (HEMTs) de Nitruro de Galio (GaN), crecidos en un sustrato de Carburo de Silicio (SiC). Estos dispositivos tienen una puerta de 0.5 micrometros de longitud y 2.4 mm de ancho. El amplificador consta de dos etapas, la primera de dos y la segunda de cuatro transistores en paralelo. Para combinar y dividir la potencia de los transistores se usan estructuras corporativas. En la banda de diseño se consigue una ganancia en pequeña señal de 15 dB, una potencia de 12.5 W y una PAE del 20 por ciento.
Internacional	No
Nombre congreso	XXII Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Universidad de La Laguna. Tenerife. España
Revisores	No
ISBN o ISSN	978-84-690-7500-5
DOI
Fecha inicio congreso	19/09/2007
Fecha fin congreso	21/09/2007
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Título de las actas

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: Mª Ángeles González Garrido (UPM)
• Autor: Pablo Cubilla
• Autor: Jesus Grajal De la Fuente (UPM)
• Autor: Yago Fernández de Bobadilla

• Creador: Grupo de Investigación: Microondas y Radar
• Departamento: Señales, Sistemas y Radiocomunicaciones